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国家发改委价格监测中心2月28日发文称，调研反映，截至今年1月，存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例，1月DRAM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%，比2025年9月上涨约83%；NAND闪存(128Gb 16G*8 MLC)合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约65%，比2025年9月上涨近1.5倍。

张毅指出，整体来看，存储产品短期回调空间有限，中长期将处于高位震荡态势，短期内看不到大跌机会。若看未来1年左右，存储价格大概率维持在相对高位，尽管随着渠道库存逐步消化，涨幅会有所收窄，但难以回到多年前的低位水平。这轮行业景气周期预计将持续1年半到2年银河澳门app官方免费，目前来看，短期内AI需求回落、大厂释放新产能以实现“抄底”的可能性较低。此外，国产替代的推进速度，将直接决定这轮存储行业景气浪潮的持续时长。

国家发改委价格监测中心前述文章也指出，当前银河澳门app官方免费，存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升，消费者对高端化、智能化的消费电子产品的偏好增强，消费升级趋势明显，对内存性能的要求更高。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。

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